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Preliminary Technical Information
TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTH160N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150 V
= 160 A
≤ 9.6 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25°C to 175°C
T J = 25°C to 175°C; R GS = 1M Ω
Transient
150
150
± 30
V
V
V
I D25
I LRMS
I DM
I A
E AS
T C = 25°C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
160
75
430
5
1.0
A
A
A
A
J
G
G = Gate
S = Source
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
dv/dt
P d
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
T C = 25°C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
10
830
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
V/ns
W
°C
°C
°C
°C
°C
M d
Mounting torque
1.13 / 10 Nm/lb.in.
Weight
6
g
Features
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
175 ° C Operating Temperature
(T J = 25°C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
150
V
Advantages
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 1 mA
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150°C
2.5
5.0
± 200
25
300
V
nA
μ A
μ A
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
8.0
9.6
m Ω
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99840 (06/07 )
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